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登録内容 (EID=23691)

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種別 (必須): 総説·解説 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2.酒井 士郎
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題名 (必須): (英)   (日) 昇華法によるGaN単結晶育成   [継承]
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発行所 (推奨): 日本結晶成長学会 [継承]
誌名 (必須): 日本結晶成長学会誌 ([日本結晶成長学会])
(resolved by 0385-6275)
ISSN: 0385-6275 (pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)
Title: 日本結晶成長学会誌
Supplier: 日本結晶成長学会
 (Webcat Plus (No Scopus information.)
(resolved by 2187-8366)
ISSN: 0385-6275 (pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)
Title: 日本結晶成長学会誌
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(必須): 25 [継承]
(必須): 4 [継承]
(必須): 19 24 [継承]
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年月日 (必須): 西暦 1998年 4月 1日 (平成 10年 4月 1日) [継承]
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和文冊子 ● 西野 克志, 酒井 士郎 : 昇華法によるGaN単結晶育成, 日本結晶成長学会誌, Vol.25, No.4, 19-24, 1998年4月.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino and Shiro Sakai : 昇華法によるGaN単結晶育成, Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol.25, No.4, 19-24, April 1998.

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