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登録内容 (EID=23687)

EID=23687EID:23687, Map:0, LastModified:2006年11月17日(金) 15:50:00, Operator:[高木 真由美], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Wang Jie (日) (読)
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2. (英) Fareed RS Qhalid (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mahanty Sourindra (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Tottori Satoru (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Ishikawa Yasuhiro (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Sugahara Tomoya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Morishima Y (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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8.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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9. (英) Osinski Marek (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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10.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Lateral overgrowth mechanisms and microstructural characteristics of bulk-like GaN layers grown by sublimation method structures Substrates  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Applied Physics ([American Institute of Physics])
(resolved by 0021-8979)
ISSN: 0021-8979 (pISSN: 0021-8979, eISSN: 1089-7550)
Title: Journal of applied physics
Title(ISO): J Appl Phys
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1089-7550)
ISSN: 0021-8979 (pISSN: 0021-8979, eISSN: 1089-7550)
Title: Journal of applied physics
Title(ISO): J Appl Phys
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 85 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 1895 1899 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 2月 1日 (平成 11年 2月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Jie Wang, Qhalid RS Fareed, Sourindra Mahanty, Satoru Tottori, Yasuhiro Ishikawa, Tomoya Sugahara, Y Morishima, Katsushi Nishino, Marek Osinski and Shiro Sakai : Lateral overgrowth mechanisms and microstructural characteristics of bulk-like GaN layers grown by sublimation method structures Substrates, Journal of Applied Physics, Vol.85, No.3, 1895-1899, 1999.
欧文冊子 ● Jie Wang, Qhalid RS Fareed, Sourindra Mahanty, Satoru Tottori, Yasuhiro Ishikawa, Tomoya Sugahara, Y Morishima, Katsushi Nishino, Marek Osinski and Shiro Sakai : Lateral overgrowth mechanisms and microstructural characteristics of bulk-like GaN layers grown by sublimation method structures Substrates, Journal of Applied Physics, Vol.85, No.3, 1895-1899, 1999.

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