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登録内容 (EID=23678)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Wang Tao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Lachab Mohamed (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Nakagawa Daisuke (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Shirahama T (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Investigation of Two Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructures grown by MOCVD  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □203 [継承]
○号 (必須):
○頁 (必須): □443 446 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1999年 1月 1日 (平成 11年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
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和文冊子 ● Tao Wang, Mohamed Lachab, Daisuke Nakagawa, T Shirahama and Shiro Sakai : Investigation of Two Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructures grown by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.203, (号), 443-446, 1999.
欧文冊子 ● Tao Wang, Mohamed Lachab, Daisuke Nakagawa, T Shirahama and Shiro Sakai : Investigation of Two Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructures grown by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.203, (号), 443-446, 1999.

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