『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=23673)

EID=23673EID:23673, Map:0, LastModified:2019年2月1日(金) 10:36:56, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Basak Durga (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Fareed RS Qhalid (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Vacuum Science & Technology B (American Vacuum Society)
(resolved by 1071-1023)
ISSN: 1071-1023 (pISSN: 1071-1023, eISSN: 0734-211X)
Title: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures : processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol B Microelectron Nanometer Struct Process Meas Phenom
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (Scopus  (CrossRef  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 0734-211X)
ISSN: 1071-1023 (pISSN: 1071-1023, eISSN: 0734-211X)
Title: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures : processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol B Microelectron Nanometer Struct Process Meas Phenom
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (Scopus  (CrossRef  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 18 [継承]
(必須): 5 [継承]
(必須): 2491 2494 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1116/1.1289551    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-0034266834 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Durga Basak, Katsushi Nishino, Qhalid RS Fareed and Shiro Sakai : Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.5, 2491-2494, 2000.
欧文冊子 ● Durga Basak, Katsushi Nishino, Qhalid RS Fareed and Shiro Sakai : Characterization of RIE etched surface of GaN using methane gas with chlorine plasma, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol.18, No.5, 2491-2494, 2000.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.24, Max(EID) = 372535, Max(EOID) = 996374.