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登録内容 (EID=23669)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Naoi H (日) (読)
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2. (英) Shaw M D (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Collins J G (日) (読)
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4.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) Heteroepitaxial growth of InAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing in situ generated arsine radicals  (日)    [継承]
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 219 [継承]
(必須): 4 [継承]
(必須): 481 484 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(00)00769-7    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000165092300022 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-0034325641 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● H Naoi, D M Shaw, G J Collins and Shiro Sakai : Heteroepitaxial growth of InAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing in situ generated arsine radicals, Journal of Crystal Growth, Vol.219, No.4, 481-484, 2000.
欧文冊子 ● H Naoi, D M Shaw, G J Collins and Shiro Sakai : Heteroepitaxial growth of InAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing in situ generated arsine radicals, Journal of Crystal Growth, Vol.219, No.4, 481-484, 2000.

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