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登録内容 (EID=23668)

EID=23668EID:23668, Map:0, LastModified:2006年11月17日(金) 13:32:55, Operator:[高木 真由美], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Wang X Hong (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Tao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Mahanty Sourindra (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Komatsu F (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Inaoka T (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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7.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Growth of GaN layer by metallorganic vapor deposition system with a novel three-flow reactor  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □218 [継承]
○号 (必須):
○頁 (必須): □148 154 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
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和文冊子 ● Hong X Wang, Tao Wang, Sourindra Mahanty, F Komatsu, T Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of GaN layer by metallorganic vapor deposition system with a novel three-flow reactor, Journal of Crystal Growth, Vol.218, (号), 148-154, 2000.
欧文冊子 ● Hong X Wang, Tao Wang, Sourindra Mahanty, F Komatsu, T Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of GaN layer by metallorganic vapor deposition system with a novel three-flow reactor, Journal of Crystal Growth, Vol.218, (号), 148-154, 2000.

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