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登録内容 (EID=23659)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Tao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Morishima Y (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) SiNバッファ層を用いた低転位GaN膜成長方法について議論し,その低転位化機構をAFM,X線回折を用いて調査し,結晶成長モデルを提案した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 221 [継承]
(必須): 1 [継承]
(必須): 334 337 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 12月 初日 (平成 12年 12月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(00)00709-0    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-0034511241 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Shiro Sakai, Tao Wang, Y Morishima and Yoshiki Naoi : A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE, Journal of Crystal Growth, Vol.221, No.1, 334-337, 2000.
欧文冊子 ● Shiro Sakai, Tao Wang, Y Morishima and Yoshiki Naoi : A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE, Journal of Crystal Growth, Vol.221, No.1, 334-337, 2000.

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