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登録内容 (EID=23648)

EID=23648EID:23648, Map:0, LastModified:2023年1月17日(火) 16:57:11, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術レター (ショートペーパー) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 (〜2023年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学研究科.エコシステム工学専攻 (〜2014年3月31日) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Wang Tao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Nakagawa Daisuke (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Sun Hong-Bo (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Wang X Hong (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Bai Jie (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
7.三澤 弘明 ([北海道大学])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) time MOCVDstructuresscattering by substrate sapphire on grown layer GaN undoped of quality the on temperature growth and layer buffer of influence The  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Applied Physics Letters ([American Institute of Physics])
(resolved by 0003-6951)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1077-3118)
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □76 [継承]
○号 (必須): □16 [継承]
○頁 (必須): □2220 2222 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
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○WOS (任意):
○Scopus (任意):
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○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tao Wang, Daisuke Nakagawa, Hong-Bo Sun, Hong X Wang, Jie Bai, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : time MOCVDstructuresscattering by substrate sapphire on grown layer GaN undoped of quality the on temperature growth and layer buffer of influence The, Applied Physics Letters, Vol.76, No.16, 2220-2222, 2000.
欧文冊子 ● Tao Wang, Daisuke Nakagawa, Hong-Bo Sun, Hong X Wang, Jie Bai, Shiro Sakai and Hiroaki Misawa : time MOCVDstructuresscattering by substrate sapphire on grown layer GaN undoped of quality the on temperature growth and layer buffer of influence The, Applied Physics Letters, Vol.76, No.16, 2220-2222, 2000.

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