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登録内容 (EID=22403)

EID=22403EID:22403, Map:0, LastModified:2013年8月27日(火) 12:00:45, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Takao Toshimasa (日) 高尾 俊公 (読) たかお としまさ
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3. (英) Fukushima Akihiko (日) 福島 明彦 (読) ふくしま あきひこ
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4.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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5.中林 一朗
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Fukushima Akihiko (日) 福島 明彦 (読) ふくしま あきひこ
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) ZnO-In2O3 transparent films by simultaneous sputtering of ZnO:Al and In2O3 targets  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 2元系酸化物であるZnO-In2O3膜を対向ターゲット式DCマグネトロンスパッタ法により作製した.そのとき,Al2O3, Sn2O3の添加のZnO-In2O3膜への影響について調べた.250℃以下の基板温度で,低抵抗アモルファス膜が得られ,最小の抵抗率はAl2O3添加で2x10^-4Ωcmであった.Sn2O3の添加でも同様にアモルファス膜が得られることがわかった.そのときの最小の抵抗率は幾分上昇し,6x10^-4Ωcmであった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) ISSP2001 (日) (読) [継承]
誌名 (必須): (英) Proc. 6th International Symposium on Sputtering &Plasma Processes (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 362 365 [継承]
都市 (必須): 金沢 (Kanazawa/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2001年 6月 13日 (平成 13年 6月 13日) [継承]
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和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Toshimasa Takao, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga, Ichiro Nakabayashi and Akihiko Fukushima : ZnO-In2O3 transparent films by simultaneous sputtering of ZnO:Al and In2O3 targets, Proc. 6th International Symposium on Sputtering &Plasma Processes, (巻), (号), 362-365, Kanazawa, June 2001.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Toshimasa Takao, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga, Ichiro Nakabayashi and Akihiko Fukushima : ZnO-In2O3 transparent films by simultaneous sputtering of ZnO:Al and In2O3 targets, Proc. 6th International Symposium on Sputtering &Plasma Processes, (巻), (号), 362-365, Kanazawa, June 2001.

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