『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=22402)

EID=22402EID:22402, Map:0, LastModified:2013年8月27日(火) 12:00:45, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Takao Toshimasa (日) 高尾 俊公 (読) たかお としまさ
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学籍番号 (推奨):
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2.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Fukushima Akihiko (日) 福島 明彦 (読) ふくしま あきひこ
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学籍番号 (推奨):
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4.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.中林 一朗
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Properties of ZnO:Al films deposited by co-sputtering of ZnO:Al targets with impurities  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) ZnO:AlとZnの同時スパッタリングで低抵抗の良好な透明導電膜が得られる.このとき,第2の不純物としてCo,Cr,Mnを添加したとき,これらの原子が結晶核としてはたらくかどうかについて検討した.その結果,これらの原子の添加はZn添加の効果をキャンセルする方向に働く.しかし,Coの添加は酸素中でのZnO:Alの抵抗率の経時変化に対する安定性を増す効果があることを見出した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) ISSP2001 (日) (読) [継承]
誌名 (必須): (英) Proc. 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 366 369 [継承]
都市 (必須): 金沢 (Kanazawa/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2001年 6月 13日 (平成 13年 6月 13日) [継承]
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和文冊子 ● Toshimasa Takao, Kikuo Tominaga, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Properties of ZnO:Al films deposited by co-sputtering of ZnO:Al targets with impurities, Proc. 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, (巻), (号), 366-369, Kanazawa, June 2001.
欧文冊子 ● Toshimasa Takao, Kikuo Tominaga, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Properties of ZnO:Al films deposited by co-sputtering of ZnO:Al targets with impurities, Proc. 6th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, (巻), (号), 366-369, Kanazawa, June 2001.

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