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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.知的材料システム (2006年4月1日〜2016年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) 直接合成法によるa面GaNの結晶成長   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) LED総合フォーラム (読)
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(必須): P20 P20 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2010年 4月 17日 (平成 22年 4月 17日) [継承]
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和文冊子 ● 西野 克志 : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, 2010年4月.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, April 2010.

関連情報

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