『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=222964)

EID=222964EID:222964, Map:0, LastModified:2013年10月3日(木) 11:47:58, Operator:[松井 栄里], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Matsuoka Ryo (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Okimoto Takashi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 311 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 2847 2849 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2009年 5月 1日 (平成 21年 5月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.027    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000267302900024 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2847-2849, 2009.
欧文冊子 ● Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2847-2849, 2009.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 1.98, Max(EID) = 372535, Max(EOID) = 996375.