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登録内容 (EID=22204)

EID=22204EID:22204, Map:0, LastModified:2013年2月4日(月) 14:14:13, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.機械工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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審査 (推奨):
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
著者 (必須): 1.吉田 憲一
役割 (任意): (英)   (日) 解析,実験,考察,総括   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang, Yuqin (日) 王 豫秦 (読) ワン ユウチン
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.堀川 敬太郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.坂巻 清司
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Kajiyama, Kenji (日) 梶山 健二 (読) かじやま けんじ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) MONITORING OF MICRO-CRACKING DURING HEATING OF HYDROGEN DOPED GERMANIUM AND SILICON SINGLE CRYSTALS BY ACOUSTIC EMISSION METHOD  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,水素注入されたゲルマニウムおよびシリコンの熱処理中における水素脆化による微視割れの発生を,AE法によって明らかにした.ますます高密度化された集積回路に用いられる半導体材料は,薄膜にして使用されるため,その方法の一つとしてスマートカッティング法が注目されている.これは,半導体材料に注入された水素の熱処理による集積と微視割れ発生を利用する方法である.加熱過程における加熱速度やその割れ発生温度の把握は,生産工程において必須となるため,導波棒を使ったAE法を用いてその場モニタリングを試みた.加熱速度5°C/minのとき,ゲルマニウムで380°C,シリコンで450°Cでこの割れ発生が認められ,加熱速度の上昇に伴って発生温度が下降することが明らかになり,割れは,表面から1µmに集積していることが解り,AE法の有効性が判明した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Acoustic Emission (Acoustic Emission Group)
(resolved by 0730-0050)

ISSN (任意):
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(必須): 19 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 22 34 [継承]
都市 (任意): (英) USA (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2001年 11月 27日 (平成 13年 11月 27日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
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和文冊子 ● Kenichi Yoshida, Yuqin Wang, Keitaro Horikawa, Kiyoshi Sakamaki and Kenji Kajiyama : MONITORING OF MICRO-CRACKING DURING HEATING OF HYDROGEN DOPED GERMANIUM AND SILICON SINGLE CRYSTALS BY ACOUSTIC EMISSION METHOD, Journal of Acoustic Emission, Vol.19, 22-34, 2001.
欧文冊子 ● Kenichi Yoshida, Yuqin Wang, Keitaro Horikawa, Kiyoshi Sakamaki and Kenji Kajiyama : MONITORING OF MICRO-CRACKING DURING HEATING OF HYDROGEN DOPED GERMANIUM AND SILICON SINGLE CRYSTALS BY ACOUSTIC EMISSION METHOD, Journal of Acoustic Emission, Vol.19, 22-34, 2001.

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