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登録内容 (EID=222018)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 新部 正人 (読)
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2. (英) (日) 小高 拓也 (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.川上 烈生 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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4.稲岡 武
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学籍番号 (推奨):
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5.富永 喜久雄
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) (日) 向井 孝志 (読)
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収測定によるダメージ解析II   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第24回日本放射光学会年会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): (英) (日) 日本 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2011年 1月 7日 (平成 23年 1月 7日) [継承]
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和文冊子 ● 新部 正人, 小高 拓也, 川上 烈生, 稲岡 武, 富永 喜久雄, 向井 孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収測定によるダメージ解析II, 第24回日本放射光学会年会, 2011年1月.
欧文冊子 ● 新部 正人, 小高 拓也, Retsuo Kawakami, Takeshi Inaoka, Kikuo Tominaga and 向井 孝志 : プラズマエッチングしたGaN結晶のN-K吸収測定によるダメージ解析II, 第24回日本放射光学会年会, Jan. 2011.

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