『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=21994)

EID=21994EID:21994, Map:0, LastModified:2018年12月3日(月) 17:58:05, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨): □国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Naoi Hiroyuki (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Shaw M Denis (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
○役割 (任意): □(英)   (日) 実験，考察   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Collins J G (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Growth of InNAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing microwave-cracked nitrogen and in situ generated arsine radicals  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) 減圧MOCVD成長によりInNAsをGaAs基板上にした．プラズマにより発生したアルシンラジカルを使用して，初めて成長に成功した．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

○ISSN (任意): □0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
○巻 (必須): □222 [継承]
○号 (必須): □3 [継承]
○頁 (必須): □511 517 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2001年 1月 1日 (平成 13年 1月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1016/S0022-0248(00)00975-1    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意): □2-s2.0-0035152091 [継承]
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Hiroyuki Naoi, Denis M Shaw, Yoshiki Naoi, G J Collins and Shiro Sakai : Growth of InNAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing microwave-cracked nitrogen and in situ generated arsine radicals, Journal of Crystal Growth, Vol.222, No.3, 511-517, 2001.
欧文冊子 ● Hiroyuki Naoi, Denis M Shaw, Yoshiki Naoi, G J Collins and Shiro Sakai : Growth of InNAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition employing microwave-cracked nitrogen and in situ generated arsine radicals, Journal of Crystal Growth, Vol.222, No.3, 511-517, 2001.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 0.77, Max(EID) = 373277, Max(EOID) = 998582.