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登録内容 (EID=21993)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Wang X Hong (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2. (英) Amijima Y (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Ishihama Yasuhiro (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Influence of carrier gas on the morphology and structure of GaN layers grown on sapphire substrate by six-wafer metal organic chemical vapor deposition system  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

○ISSN (任意): □0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○巻 (必須): □233 [継承]
○号 (必須): □4 [継承]
○頁 (必須): □681 686 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2001年 5月 1日 (平成 13年 5月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1016/S0022-0248(01)01631-1    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意): □2-s2.0-0035546505 [継承]
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○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Hong X Wang, Y Amijima, Yasuhiro Ishihama and Shiro Sakai : Influence of carrier gas on the morphology and structure of GaN layers grown on sapphire substrate by six-wafer metal organic chemical vapor deposition system, Journal of Crystal Growth, Vol.233, No.4, 681-686, 2001.
欧文冊子 ● Hong X Wang, Y Amijima, Yasuhiro Ishihama and Shiro Sakai : Influence of carrier gas on the morphology and structure of GaN layers grown on sapphire substrate by six-wafer metal organic chemical vapor deposition system, Journal of Crystal Growth, Vol.233, No.4, 681-686, 2001.

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