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登録内容 (EID=21989)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Bai Jie (日) (読)
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2. (英) Izumi Yuji (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Wang Tao (日) (読)
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4.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) A Study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grownon (11-20) sapphire substrate  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 223 [継承]
(必須): 1-2 [継承]
(必須): 61 68 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2001年 1月 1日 (平成 13年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(00)01013-7    (→Scopusで検索) [継承]
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和文冊子 ● Jie Bai, Yuji Izumi, Tao Wang and Shiro Sakai : A Study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grownon (11-20) sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.223, No.1-2, 61-68, 2001.
欧文冊子 ● Jie Bai, Yuji Izumi, Tao Wang and Shiro Sakai : A Study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grownon (11-20) sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.223, No.1-2, 61-68, 2001.

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