『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=21983)

EID=21983EID:21983, Map:0, LastModified:2018年12月3日(月) 18:00:02, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Wang Tao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Bai Jie (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Influence of InGaN/GaN quantum-well structure on the performance of light-emitting diodes and laser diodes grown on sapphire substrate  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 224 [継承]
(必須): 1/2 [継承]
(必須): 5 10 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2001年 1月 1日 (平成 13年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(01)00748-5    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000168156500002 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-0035308446 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tao Wang, Jie Bai and Shiro Sakai : Influence of InGaN/GaN quantum-well structure on the performance of light-emitting diodes and laser diodes grown on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.224, No.1/2, 5-10, 2001.
欧文冊子 ● Tao Wang, Jie Bai and Shiro Sakai : Influence of InGaN/GaN quantum-well structure on the performance of light-emitting diodes and laser diodes grown on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.224, No.1/2, 5-10, 2001.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.56, Max(EID) = 373281, Max(EOID) = 998586.