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登録内容 (EID=219627)

EID=219627EID:219627, Map:0, LastModified:2016年5月6日(金) 20:30:36, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Yamanaka Yoichiro (日) 山中 陽一郎 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tanahashi Katuto (日) 棚橋 克人 (読) たなはし かつと
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mikayama Takeshi (日) 三箇山 毅 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Inoue, Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.森 篤史
役割 (任意): (英)   (日) 議論   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) On the Nucleation Mechanism of the Void Defects in Czochralski Silicon  (日) Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) There are void defects in as-grown Czochralski Silicon. Void defects provoke breakdown of thermal oxide in the MOS structure. Therefore it is necessary to study their nucleation mechanism. We had proposed the heterogeneous nucleation model. Recently, homogeneous nucleation model has been proposed by Voronkov. In this paper we examine the problem of homogeneous model quantitatively. We propose that oxide precipitate is the heterogeneous nucleation site. Carbon is likely to be a canidate for the heterogeneous nucleation site of the oxide precipitate.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) (日) 日本真空学会 (読) [継承]
誌名 (必須): 真空 (日本真空学会)
(pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)

ISSN (任意): 0559-8516
ISSN: 0559-8516 (pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)
Title: 真空
Supplier: 一般社団法人 日本真空学会
Publisher: Shinku Kyokai
 (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 45 [継承]
(必須): 1 [継承]
(必須): 32 35 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 1月 20日 (平成 14年 1月 20日) [継承]
URL (任意): https://www.jstage.jst.go.jp/article/jvsj1958/45/1/45_1_32/_article/-char/ja/ [継承]
DOI (任意): 10.3131/jvsj.45.32    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 10007762717 [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-0036283818 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 山中 陽一郎, 棚橋 克人, 三箇山 毅, 井上 直久, 森 篤史 : Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察, 真空, Vol.45, No.1, 32-35, 2002年.
欧文冊子 ● Yoichiro Yamanaka, Katuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : On the Nucleation Mechanism of the Void Defects in Czochralski Silicon, Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol.45, No.1, 32-35, 2002.

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