『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=21697)

EID=21697EID:21697, Map:[2001/半導体工学], LastModified:2007年12月28日(金) 17:25:11, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•夜間主 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2002年 (平成 14年) [継承]
名称 (必須): (英) Semiconductor Device (日) 半導体工学 (読) はんどうたいこうがく
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コース (必須): 1.2002/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.富永 喜久雄
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 半導体材料やデバイスの理解を主たる目的とする.半導体中の電子·正孔のふるまいを理解するための基礎から始め,それに基づいて半導体デバイスの基礎について講述する.とくにpn接合と金属-半導体接合の理解をはかる.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) まず半導体を理解するために必要となる固体物理の基礎から始める. 1.半導体の電子構造:E-k図,還元ゾーン方式,有効質量,正孔の概念,通常の半導体Ge,Si,GaAsのエネルギーバンド図. 2.半導体における電気伝導:p形,n形,フェルミエネルギー,キャリア移動度,再結合,拡散距離,電気伝導度,ホール効果 3.pn接合ダイオード:PN接合理論と実際のダイオード特性について講述する. 4.半導体異種材料界面:ショットキー障壁,オーミック接触,ホモ接合とヘテロ接合   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意): (英)   (日) 物性工学を履修しておくこと.   [継承]
注意 (任意): (英)   (日) クオータ制授業であるため,各回の授業内容をその都度理解してつぎに進むことが重要.オフィスアワーを積極的に利用する.   [継承]
目標 (必須):
計画 (必須): 1.(英)   (日) 第1,2回 E-k図,還元ゾーン方式,有効質量,正孔の概念,通常の半導体Ge,Si,GaAsのエネルギーバンド図. 第3,4,5, 6回 電気的,磁電的,光学的,光電的性質について述べる. 第7,8, 9回 PN接合理論 第10回 中間試験 第11,12,13回 金属-半導体の界面の物理 14,15回 ヘテロエピタキシャル接合に対する物理 16回 まとめと期末試験対策  
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評価 (必須): (英)   (日) 試験60%(中間試験30%,期末試験30%),平常点40%(レポート,小テスト,出席状況など)として評価し,全体で60%以上を合格とする.   [継承]
対象学生 (任意): 他学科学生も履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英)   (日) 松波弘之,吉本昌広共著:半導体デバイス,共立出版   [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 古川静二郎,松村正清共著;電子デバイス[I]および[II],昭晃堂. S.M.ジィー;半導体デバイス,産業図書.   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1. (英) tominaga(room E-138, Tel 656-7439, E-mail tominaga@ee.tokushima-u.ac.jp) (日) 富永(E138室,Tel 656-7439, E-mail tominaga@ee.tokushima-u.ac.jp) (読) とみなが
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英)   (日) 一般的ではあるが,講義内容を週内で消化するようにすること.   [継承]
2.(英)   (日) 平常点と試験の比率は4:6とする.平常点には講議への出席状況,小テスト,レポートの提出状況と内容を含む.   [継承]

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和文冊子 ● 半導体工学 / Semiconductor Device
欧文冊子 ● Semiconductor Device / 半導体工学

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