| ○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2011年 (平成 23年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Semiconductor Device Physiscs (日) 半導体デバイス物理特論 (読) はんどうたいでばいすぶつりとくろん
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| ○形態 (推奨): | 1. | 講義および演習
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| ○コース (必須): | 1. | 2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 大野 泰夫
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices. (日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と，そのデバイスの電気特性との関連を理解する．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices. (日) 半導体デバイス，特に各種電子デバイス，トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理，微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果，デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について，その物理的原理から解説する．
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| ○キーワード (推奨): | 1. | デバイス物理 (device physics)
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| 2. | 半導体デバイス (semiconductor device)
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| ○先行科目 (推奨): | 1. | 電子デバイス特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/電子デバイス特論])
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| ○関連科目 (推奨): | 1. | 光半導体デバイス特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2010/光半導体デバイス特論])
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| 2. | 無機光機能材料論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2011/無機光機能材料論])
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| ○要件 (任意): |
| ○注意 (任意): |
| ○目標 (必須): | 1. | (英) Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics. (日) 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する．2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象，2次元電界分布効果を理解する．3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する．
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) (日) デバイス物理の基本方程式
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| 2. | (英) (日) ボルツマン輸送方程式
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| 3. | (英) (日) 電子流と熱流
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| 4. | (英) (日) ホットキャリア効果
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| 5. | (英) (日) 電子ガスの粘性とMOS表面電子移動度
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| 6. | (英) (日) 短チャネル効果
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| 7. | (英) (日) デバイス微細化の限界
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| 8. | (英) (日) 大規模高速システムとデバイス特性
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| 9. | (英) (日) 深い準位に対するSRH統計
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| 10. | (英) (日) 電子トラップとホールトラップ
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| 11. | (英) (日) サイドゲート効果
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| 12. | (英) (日) 周波数分散
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| 13. | (英) (日) 化合物半導体とシリコンの比較
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| 14. | (英) (日) プロセスシミュレーション
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| 15. | (英) (日) デバイスシミュレーション
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| 16. | (英) (日) テスト
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| ○評価 (必須): | □ | (英) Reports for each theme and examination (日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する．
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| ○再評価 (必須): | □ | (英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year. (日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう． 評価点の最高は79点とする． 第1回試験において，40点未満の場合は再受講とする．
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| ○対象学生 (任意): | □ | 開講コース学生のみ履修可能
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| ○教科書 (必須): | 1. | (英) S. M. Sze, Kwok K. Ng, "Physics of Semiconductor Devices," 3rd Ed. (日)
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| ○参考資料 (推奨): |
| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 大野 泰夫
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) This lecture will be given in English. (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．
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【授業概要】(2010/半導体デバイス物理特論)
【教育プログラム】…(1)