| ○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2011年 (平成 23年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Advanced Device Processing (日) デバイスプロセス特論 (読) でばいすぷろせすとくろん
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| ○形態 (推奨): | 1. | 講義
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| ○コース (必須): | 1. | 2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) This cource will covered topics related to device processing engineering and science, in semicondctor and dielectric devices. (日) 電子デバイスを作製するための様々な技術，および，作製されたデバイスの評価技術の原理を理解することを目的とする．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) Basic subjects such as physical chemistry, vacuum engineering, surface science, crystal growth technology and mesurement methods for device evaluations will be lectured. (日) 電子デバイスを作製するための基礎技術の基礎となる基礎物理化学，真空工学，表面工学，プロセス化学の基本，および，デバイス評価のための分析·計測技術の基礎原理とその応用方法について講義する．
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| ○キーワード (推奨): | 1. | (英) device processing (日) デバイスプロセス (読)
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| 2. | (英) surface physics and chemistry (日) 表面物理化学 (読)
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| 3. | (英) vacuum engineering (日) 真空 (読)
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| ○先行科目 (推奨): | 1. | 半導体工学特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/[2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.知能情報システム工学コース]/[博士前期課程]]/[2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/半導体工学特論])
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| 2. | 集積回路特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/集積回路特論])
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| 3. | 電子デバイス特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/電子デバイス特論])
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| ○関連科目 (推奨): | 1. | 電気·電子材料特論 ([2011/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2010/電気·電子材料特論])
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| ○要件 (任意): | □ | (英) (日) なし．
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| ○注意 (任意): | □ | (英) (日) なし．
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| ○目標 (必須): | 1. | (英) To understand the physics of the device processing technology. (日) デバイスプロセスに用いられている技術について，電気磁気学·電気回路·電子回路等で学修した基本事項の観点からその動作原理を理解する．
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) Semiconductor and devices. (日) 半導体デバイスとプロセス
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| 2. | (英) Property of vacuum (日) 真空の性質
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| 3. | (英) Production of vacuum (日) 真空のつくり方
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| 4. | (英) Pressure measurement (日) 真空の測定方法
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| 5. | (英) Interaction of atoms and molecules with surface (日) 原子分子と表面の相互作用
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| 6. | (英) Vapor pressure, application to crystal growth using vacuum technology (日) 平衡蒸気圧，真空技術の結晶成長への応用
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| 7. | (英) Physisorption and chemisorption (日) 物理·化学吸着
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| 8. | (英) Plasma etching (日) プラズマエッチング
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| 9. | (英) Chemical etching and Physical etching (日) 化学エッチング，物理エッチング
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| 10. | (英) Physics of diffraction (日) 回折現象の物理，X線回折(逆格子，構造因子)
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| 11. | (英) Electron optics (日) 電子光学(電子レンズ，電子分光，電子·イオン銃)
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| 12. | (英) Electron spectroscopy (日) 電子分光(XPS，UPS，SIMS，EPMA)
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| 13. | (英) Scanning Electron Microscopy (日) 走査型電子顕微鏡(SEM)
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| 14. | (英) Transmission Electron Microscopy (日) 透過型電子顕微鏡(TEM)の基本原理
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| 15. | (英) Atomic Force Microscopy (日) 原子間力顕微鏡(AFM)
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| 16. | (英) Examination (日) 試験
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| ○評価 (必須): | □ | (英) Problem Sets: 50%, Paper: 50% (日) レポート問題50%，最終試験50%の割合で評価し，100点満点で60点以上の評点で合格とする．
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| ○再評価 (必須): |
| ○対象学生 (任意): | □ | 開講コース学生のみ履修可能
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| ○教科書 (必須): | 1. | (英) none - references will be cited during lectures (日) 授業中に紹介する
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| ○参考資料 (推奨): | 1. | (英) S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Second Edition (John Wiley & Sons, 1981). (日) S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Second Edition (John Wiley & Sons, 1981).
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| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
| ○オフィスアワー (任意): | □ | (英) Th 5:00-6:00PM (日) 木曜日:17:00∼18:00
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) (日) 授業を受ける際には，2時間の授業時間毎に2時間の予習と2時間の復習をしたうえで授業を受けることが，授業の理解と単位取得のために必要である．
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【授業概要】(2010/デバイスプロセス特論)
【教育プログラム】…(1)