『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=216267)

EID=216267EID:216267, Map:[2010/半導体ナノテクノロジー基礎論], LastModified:2010年11月29日(月) 20:11:37, Operator:[水本 匡昭], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □工学部•昼間 (授業概要) [継承]
○入学年度 (必須): □西暦 2011年 (平成 23年) [継承]
○名称 (必須): □ (英) Introduction to Semiconductor Nanotechnology (日) 半導体ナノテクノロジー基礎論 (読) はんどうたいなのてくのろじーきそろん
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○形態 (不用): 1.講義 [継承]
○コース (必須): 1.2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース] [継承]
○担当教員 (必須): 1.井須 俊郎
○肩書 (任意):
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2.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
○肩書 (任意):
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○単位 (必須): □2 [継承]
○目的 (必須): □(英)   (日) 半導体エレクトロニクスの先端分野で用いられているナノテクノロジーについて基礎的な概念を理解する．   [継承]
○概要 (必須): □(英)   (日) 半導体のナノ構造が生み出す性質を理解するための基礎知識として，半導体の電気的特性，ナノ構造における量子力学的効果など，半導体ナノ構造の特徴について説明する．これらの半導体ナノ構造を用いた各種の電子デバイス，光デバイスについて概説し，さらに半導体ナノ構造の作製の手法とそれらの構造や特性の測定評価方法について解説する．   [継承]
○キーワード (推奨): 1. (英) (日) ナノ量子構造 (読) [継承]
2. (英) (日) 半導体ナノ物性 (読) [継承]
3. (英) (日) 電子デバイス (読) [継承]
4. (英) (日) 光デバイス (読) [継承]
○先行科目 (推奨):
○関連科目 (推奨): 1.光·電子物性工学1 ([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光·電子物性工学1])
○関連度 (任意):
[継承]
2.光デバイス1 ([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光デバイス1])
○関連度 (任意):
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○要件 (任意): □(英)   (日) 特になし．   [継承]
○注意 (任意): □(英)   (日) 量子力学を履修していることが望ましい．   [継承]
○目標 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造の特徴と応用例について理解する．  
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○計画 (必須): 1.(英)   (日) 半導体ナノ構造とは  
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2.(英)   (日) 半導体の性質  
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3.(英)   (日) 電子状態の量子化  
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4.(英)   (日) 低次元量子構造  
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5.(英)   (日) 半導体ナノ構造の光物性  
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6.(英)   (日) 光デバイス応用(受光発光素子)  
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7.(英)   (日) 光デバイス応用(光制御素子)  
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8.(英)   (日) 半導体ナノ構造の電子物性  
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9.(英)   (日) 電子デバイス応用(HBT)  
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10.(英)   (日) 電子デバイス応用(FET)  
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11.(英)   (日) 結晶成長法による形成技術  
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12.(英)   (日) 微細加工による形成技術  
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13.(英)   (日) ナノ構造測定手法  
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14.(英)   (日) 電気的特性評価  
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15.(英)   (日) 光学的特性評価  
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16.(英)   (日) 期末試験  
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○評価 (必須): □(英)   (日) レポート(60%)，試験(40%)   [継承]
○JABEE合格 (任意):
○JABEE関連 (任意):
○対象学生 (任意): □(英)   (日) 関心のある学生は誰でも受講可．   [継承]
○教科書 (必須): 1.(英)   (日) 特になし．   [継承]
○参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 「半導体超格子の物理と応用」日本物理学会編，培風館   [継承]
○URL (任意):
○連絡先 (推奨): 1.井須 俊郎
○オフィスアワー (任意):
[継承]
2.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
○オフィスアワー (任意):
[継承]
○科目コード (推奨):
○備考 (任意):

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