○種別 (必須): | □ | 工学部•昼間 (授業概要)
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○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2011年 (平成 23年)
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○名称 (必須): | □ | (英) Semiconductor Physics (日) 半導体工学 (読) はんどうたいこうがく
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○コース (必須): | 1. | 2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]
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○担当教員 (必須): | 1. | 敖 金平
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○単位 (必須): | □ | 2
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○目的 (必須): | □ | (英) (日) 半導体工学の概要を紹介して理解させること
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○概要 (必須): | □ | (英) (日) この授業では半導体工学の基礎事項を解説する.半導体材料の基礎物性とpn接合ダイオードおよび金属-半導体接触における基礎事項を取り扱う.
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○キーワード (推奨): | 1. | (英) (日) 半導体のバンド理論 (読)
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| 2. | (英) (日) 真性半導体 (読)
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| 3. | (英) (日) 外因性半導体 (読)
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| 4. | (英) (日) PN接合 (読)
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| 5. | (英) (日) ショットキー接合 (読)
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○先行科目 (推奨): | 1. | 基礎固体物性論 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/基礎固体物性論])
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| 2. | 電気磁気学1·演習 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/電気磁気学1·演習])
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○関連科目 (推奨): |
○要件 (任意): | □ | (英) (日) 本科目開始以前の必修科目を受講し,かつ十分理解していること.
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○注意 (任意): | □ | (英) (日) 本科目を履修後は,「電子デバイス」,「集積回路1,2」,「光デバイス工学」を順次履修することを想定している.
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○目標 (必須): | 1. | (英) (日) 半導体の帯理論について説明できる
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| 2. | (英) (日) 半導体の電気伝導について説明できる
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| 3. | (英) (日) PN接合の基礎について説明できる
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| 4. | (英) (日) 金属-半導体接触の基礎について説明できる
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○計画 (必須): | 1. | (英) (日) バンド理論の概略
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| 2. | (英) (日) 半導体中のキャリア濃度
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| 3. | (英) (日) 真性半導体
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| 4. | (英) (日) 外因性半導体
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| 5. | (英) (日) フェルミ準位
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| 6. | (英) (日) 半導体中の電気伝導
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| 7. | (英) (日) 半導体電気特性の評価
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| 8. | (英) (日) PN接合のエネルギー帯図
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| 9. | (英) (日) PN接合の電流-電圧特性
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| 10. | (英) (日) PN接合の空乏層解析
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| 11. | (英) (日) PN接合の評価
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| 12. | (英) (日) 金属-半導体接触のエネルギー帯図
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| 13. | (英) (日) ショットキー接合の電流-電圧特性
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| 14. | (英) (日) ショットキー接合の空乏層解析
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| 15. | (英) (日) 金属-半導体接触の評価
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| 16. | (英) (日) 期末テスト
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○評価 (必須): | □ | (英) (日) 平常点30%と期末試験70%で評価する.平常点は演習,レポートの結果を総合して評価する.60%であれば合格する.
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○JABEE合格 (任意): | □ | (英) (日) .
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○JABEE関連 (任意): | □ | (英) (日) (D)[主目標]専門基礎70%,(E)専門分野30%
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○対象学生 (任意): | □ | 開講コース学生のみ履修可能
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○教科書 (必須): | 1. | (英) (日) 「新版基礎半導体工学」國岡昭夫,上村喜一著,朝倉出版,ISBN978-4-254-22138-1
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○参考資料 (推奨): | 1. | (英) Semiconductor Devices, Physics and Technology. S. M. Sze (John Wiley & Sons, Inc. 2nd edition, 2001). (日)
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○URL (任意): |
○連絡先 (推奨): | 1. | 敖 金平
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○科目コード (推奨): |
○備考 (任意): | 1. | (英) . (日) .
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