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登録内容 (EID=216261)

EID=216261EID:216261, Map:[2010/半導体工学], LastModified:2011年2月19日(土) 11:43:11, Operator:[富永 喜久雄], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•夜間主 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2011年 (平成 23年) [継承]
名称 (必須): (英) Semiconductor Device (日) 半導体工学 (読) はんどうたいこうがく
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形態 (不用): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.富永 喜久雄
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) pn接合と金属-半導体接合の理解をする.そのために,半導体中の電子·正孔のふるまいを理解ことから始め,それに基づいて,ダイオードの動作原理を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) まず半導体を理解するために必要となる固体物理の基礎から始める. 1.半導体の電子構造:E-k図,還元ゾーン方式,有効質量,正孔の概念,通常の半導体Ge,Si,GaAsのエネルギーバンド図. 2.半導体における電気伝導:p形,n形,フェルミエネルギー,キャリア移動度,再結合,拡散距離,電気伝導度,ホール効果 3.pn接合ダイオード:PN接合理論と実際のダイオード特性について講述する. 4.半導体異種材料界面:ショットキー障壁,オーミック接触,ホモ接合とヘテロ接合   [継承]
キーワード (推奨): 1.電気電子工学 (electrical and electronic engineering) [継承]
2. (英) diode (日) ダイオード (読) だいおーど [継承]
3. (英) electrons and holes (日) 電子と正孔 (読) でんしとせいこう [継承]
4. (英) physics of electrical conduction (日) 電気伝導の物理 (読) でんきでんどうのぶつり [継承]
5. (英) behaviours of carriers in solid (日) 固定中のキャリアの振る舞い (読) こたいちゅうのきゃりあのふるまい [継承]
先行科目 (推奨): 1.物性工学 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース]]/->授業概要[2010/物性工学])
必要度 (任意): 1.000000 [継承]
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2.電子回路 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース]]/->授業概要[2010/電子回路])
必要度 (任意): 0.500000 [継承]
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関連科目 (推奨): 1.電子デバイス工学 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース]]/->授業概要[2010/電子デバイス工学])
関連度 (任意):
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2.電気磁気学1 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース]]/->授業概要[2010/電気磁気学1])
関連度 (任意):
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3.電気磁気学2 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース]]/->授業概要[2010/電気磁気学2])
関連度 (任意):
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要件 (任意): (英)   (日) 物性工学を履修しておくこと.   [継承]
注意 (任意): (英)   (日) クオータ制授業であるため,各回の授業内容をその都度理解してつぎに進むことが重要.オフィスアワーを積極的に利用する.   [継承]
目標 (必須): 1.(英)   (日) 半導体中の電子,正孔の振る舞いを定量的に理解する  
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2.(英)   (日) 半導体中の電子,正孔の電気伝導について定量的に理解する  
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3.(英)   (日) pn接合ダイオードの動作原理を定量的に理解する  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) バンド理論の概略  
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2.(英)   (日) 半導体中のキャリア濃度(状態密度,分布関数,真性半導体,n形半導体・p形半導体)  
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3.(英)   (日) 半導体中のキャリア濃度(キャリア濃度の温度依存性,フェルミ準位)  
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4.(英)   (日) 半導体中の電気伝導(有効質量,ドリフト電流,拡散電流)  
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5.(英)   (日) 半導体中の電気伝導(キャリアの熱励起,再結合,光による励起,直接遷移,間接遷移)  
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6.(英)   (日) 抵抗率の測定,ホール効果  
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7.(英)   (日) pn接合の整流性,拡散電位,内部電界,エネルギー帯図  
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8.(英)   (日) 少数キャリアの注入,電流-電圧特性  
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9.(英)   (日) 空乏層中の電位分布,容量-電圧特性  
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10.(英)   (日) 光起電力効果(太陽電池)  
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11.(英)   (日) ショットキー接触,エネルギー帯図の描き方  
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12.(英)   (日) ショットキー接触の電流-電圧特性  
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13.(英)   (日) ショットキー接触の容量-電圧特性  
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14.(英)   (日) ショットキー接触の評価  
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15.(英)   (日) オーミック接触  
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16.(英)   (日) 期末試験  
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評価 (必須): (英)   (日) 期末試験(60%)や各回の小テスト(40%)により評価し,全体で60%以上を合格とする.   [継承]
再評価 (不用): (英)   (日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう. 評価点の最高は79点とする. 第1回試験において,40点未満の場合は再受講とする.   [継承]
対象学生 (任意): 他学科学生も履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英)   (日) 國岡昭夫,上村喜一共著:新版基礎半導体工学ス,朝倉書店   [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 配布資料,古川静二郎,松村正清共著;電子デバイス[I]および[II],昭晃堂. S.M.ジィー;半導体デバイス,産業図書.   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.富永 喜久雄
オフィスアワー (任意): (英)   (日) 水曜日 4:30-6:00, 木曜日 4:30-6:00   [継承]
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科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英)   (日) 配布資料と教科書を併用しておこなう.一般的ではあるが,講義内容を週内で消化するようにすること.   [継承]

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和文冊子 ● 半導体工学 / Semiconductor Device
欧文冊子 ● Semiconductor Device / 半導体工学

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