『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=216219)
| EID=216219 | EID:216219,
Map:[2010/電子デバイス],
LastModified:2013年9月19日(木) 11:35:17,
Operator:[三木 ちひろ],
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Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]],
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| ○種別 (必須): | □ | 工学部•昼間 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2011年 (平成 23年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Semiconductor Device Physics (日) 電子デバイス (読) でんしでばいす
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| ○コース (必須): | 1. | 2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 大野 泰夫
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) (日) 半導体電子デバイスの動作およびその原理を理解することを目的とする．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) (日) まず電子デバイスの基本となる半導体の基礎的性質および各種接合·界面について解説する． その後，種々の電子デバイスの構造，動作原理，諸特性について述べる．
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| ○キーワード (推奨): |
| ○先行科目 (推奨): | 1. | 半導体工学 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/半導体工学])
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| ○関連科目 (推奨): |
| ○要件 (任意): | □ | (英) (日) 「半導体工学」を履修しておくこと．
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| ○注意 (任意): | □ | (英) (日) .
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| ○目標 (必須): | 1. | (英) (日) バンド図が理解できる
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| 2. | (英) (日) pnダイオード，MOSトランジスタの動作原理が理解できる
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) (日) 半導体デバイスとは
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| 2. | (英) (日) 電子と正孔
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| 3. | (英) (日) マクスウエルボルツマン分布
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| 4. | (英) (日) バンド図とフェルミ準位
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| 5. | (英) (日) キャリアの運動
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| 6. | (英) (日) 緩和時間近似とアインシュタインの関係
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| 7. | (英) (日) 擬フェルミ準位
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| 8. | (英) (日) 中間テスト
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| 9. | (英) (日) pn接合
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| 10. | (英) (日) pn接合での空乏層
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| 11. | (英) (日) pn接合の電流電圧特性
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| 12. | (英) (日) バイポーラトランジスタ
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| 13. | (英) (日) MOSダイオード
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| 14. | (英) (日) MOSトランジスタ
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| 15. | (英) (日) その他の電子デバイス
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| 16. | (英) (日) 季末テスト
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| ○評価 (必須): | □ | (英) (日) 到達目標が達成されているか中間試験，季末試験で評価し60%以上であれば合格とする
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| ○JABEE合格 (任意): | □ | (英) (日) .
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| ○JABEE関連 (任意): | □ | (英) (日) (D)専門基礎30%，(E)専門分野(物性デバイス)70%
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| ○対象学生 (任意): | □ | 開講コース学生のみ履修可能
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| ○教科書 (必須): | 1. | (英) (日) 冨澤一隆，山口憲 「半導体デバイス」丸善
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| ○参考資料 (推奨): | 1. | (英) "Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981) (日) "Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981)
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| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 大野 泰夫
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) (日) .
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電子デバイス / Semiconductor Device Physics
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Semiconductor Device Physics / 電子デバイス
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関連情報
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