『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=216218)

EID=216218EID:216218, Map:[2010/電子デバイス], LastModified:2011年1月24日(月) 12:37:29, Operator:[島本 隆], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □工学部•昼間 (授業概要) [継承]
○入学年度 (必須): □西暦 2011年 (平成 23年) [継承]
○名称 (必須): □ (英) Semiconductor Device Physics (日) 電子デバイス (読) でんしでばいす
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○コース (必須): 1.2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース] [継承]
○担当教員 (必須): 1.大野 泰夫
○肩書 (任意):
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○単位 (必須): □2 [継承]
○目的 (必須): □(英)   (日) 半導体電子デバイスの動作およびその原理を理解することを目的とする．   [継承]
○概要 (必須): □(英)   (日) まず電子デバイスの基本となる半導体の基礎的性質および各種接合·界面について解説する． その後，種々の電子デバイスの構造，動作原理，諸特性について述べる．   [継承]
○キーワード (推奨):
○先行科目 (推奨): 1.半導体工学 ([2011/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/半導体工学])
○必要度 (任意):
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○関連科目 (推奨):
○要件 (任意): □(英)   (日) 「半導体工学」を履修しておくこと．   [継承]
○注意 (任意): □(英)   (日) .   [継承]
○目標 (必須): 1.(英)   (日) バイポーラトランジスタの動作原理が理解できる  
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2.(英)   (日) 電界効果トランジスタの動作原理が理解できる  
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○計画 (必須): 1.(英)   (日) 半導体の基礎  
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2.(英)   (日) 半導体の電気伝導  
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3.(英)   (日) pn接合の直流特性  
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4.(英)   (日) pn接合の空乏層の解析および交流特性  
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5.(英)   (日) 金属-半導体界面  
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6.(英)   (日) 絶縁体-半導体界面  
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7.(英)   (日) バイポーラトランジスタの基本動作  
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8.(英)   (日) バイポーラトランジスタの諸特性  
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9.(英)   (日) ヘテロバイポーラトランジスタ  
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10.(英)   (日) MOS型電界効果トランジスタ  
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11.(英)   (日) 接合型電界効果トランジスタ  
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12.(英)   (日) 集積回路  
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13.(英)   (日) メモリ，CCD  
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14.(英)   (日) パワーデバイス  
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15.(英)   (日) 予備日  
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16.(英)   (日) 定期試験  
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○評価 (必須): □(英)   (日) 到達目標が達成されているか試験75%，レポート25%で評価し，あわせて60%以上であれば合格とする   [継承]
○JABEE合格 (任意): □(英)   (日) .   [継承]
○JABEE関連 (任意): □(英)   (日) (D)専門基礎30%，(E)[主目標]専門分野(物性デバイス)70%   [継承]
○対象学生 (任意): □開講コース学生のみ履修可能 [継承]
○教科書 (必須): 1.(英)   (日) 松波，吉本著「半導体デバイス」共立出版   [継承]
○参考資料 (推奨): 1.(英) "Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981)  (日) "Physics of Semiconductor Devices", by S.M.Sze (John Wiley & Sons, 1981)   [継承]
○URL (任意):
○連絡先 (推奨): 1.大野 泰夫
○オフィスアワー (任意):
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○科目コード (推奨):
○備考 (任意): 1.(英)   (日) 授業を受ける際には，2時間の授業時間毎に2時間の予習と2時間の復習をしたうえで授業を受けることが，授業の理解と単位取得のために必要である．   [継承]

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和文冊子 ● 電子デバイス / Semiconductor Device Physics
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