| ○種別 (必須): | □ | 工学部•昼間 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2002年 (平成 14年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Science and Technology of Crystal Growth (2) (日) 結晶成長学2 (読) けっしょうせいちょうがく
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| ○コース (必須): | 1. | 2002/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 井上 哲夫
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) (日) 結晶成長学(1)では，結晶成長の基礎概念や成長機構についての講義であったが，(2)では実際に結晶を作成するときのための基礎的な知識を修得する．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) (日) 実際に結晶作成を行なうときのために，結晶育成の基礎概念や，各種キーマテリアルの育成技術について講義し，また育成後の結晶の評価方法についての知識を修得させる．学習·教育目標としては，光技術の専門教育に最も大きく関わっている(B;58%)
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| ○キーワード (推奨): |
| ○先行科目 (推奨): |
| ○関連科目 (推奨): |
| ○要件 (任意): | □ | (英) (日) 結晶成長学(1)を受講を前提としている．
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| ○注意 (任意): |
| ○目標 (必須): | 1. | (英) (日) (1)状態図をよむことができる．(2)物質や熱の輸送について基礎概念を修得する．(3)各種の結晶育成技術の知識を修得する．(4)結晶の評価法についての知識を修得する．
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) (日) 状態図について(1)
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| 2. | (英) (日) 状態図について(2)
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| 3. | (英) (日) 物質と熱の輸送1(拡散)
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| 4. | (英) (日) 物質と熱の輸送2(熱))
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| 5. | (英) (日) 物質と熱の輸送3(流れ，粘性，境界層)
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| 6. | (英) (日) 結晶育成技術1(溶液成長，フラックス成長)
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| 7. | (英) (日) 結晶育成技術2(メルト成長，気相成長，エピタキシャル成長)
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| 8. | (英) (日) 中間試験(目標1，2と目標3の結晶育成技術(1·2)の達成度をテストする．
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| 9. | (英) (日) キーマテリアルの結晶育成技術(金属結晶，イオン結晶)
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| 10. | (英) (日) キーマテリアルの結晶育成技術(有機結晶，酸化物結晶)
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| 11. | (英) (日) )キーマテリアルの結晶育成技術(半導体結晶，光学結晶，その1)
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| 12. | (英) (日) )キーマテリアルの結晶育成技術(半導体結晶，光学結晶，その2)
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| 13. | (英) (日) 結晶育成と欠陥導入機構について
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| 14. | (英) (日) 結晶評価(組成，完全性)
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| 15. | (英) (日) 結晶評価(構造，光学的性質)
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| 16. | (英) (日) 期末試験(目標3，4の達成度をテストする)
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| ○評価 (必須): | □ | (英) (日) 単位の取得:試験80%(中間試験40%，期末試験40%)，平常点20%(出席状況，受講態度)として評価し，全体で60%以上で合格とする．
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| ○JABEE合格 (任意): | □ | (英) (日) 目標が各々達成されているかを試験100%で評価し，75%以上で合格とする．
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| ○JABEE関連 (任意): | □ | (英) (日) 光応用工学科の学習·教育目標 A;37%，B;58%，C;3%，D;2% (JABEE 基準1との関係は添付資料1を参照)
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| ○対象学生 (任意): |
| ○教科書 (必須): | 1. | (英) (日) プリント配布
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| ○参考資料 (推奨): | 1. | (英) (日) 伊藤糾次，犬塚直夫 著，「結晶成長」，コロナ社
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| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | (英) (日) 井上哲夫，光応用棟3F310室，TEL:088-656-9416，E-mail:inoue@opt.tokushima-u.ac.jp (読)
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) (日) オフィスアワー:随時
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【授業概要】(2001/速度論)
【授業概要】…(2)