『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=210939)

EID=210939EID:210939, Map:0, LastModified:2013年4月23日(火) 21:02:49, Operator:[永瀬 雅夫], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[永瀬 雅夫], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨):
種別 (必須): 特許 [継承]
出願国 (必須): 1.国内 [継承]
発明者 (必須): 1.永瀬 雅夫 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.日比野 浩樹 (NTT物性科学基礎研究所)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.影島 博之 (NTT物性科学基礎研究所)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.山口 浩司 (NTT物性科学基礎研究所)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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出願人 (推奨): 1. (英) (日) 日本電信電話 株式会社 (読) [継承]
名称 (必須): (英)   (日) 抵抗可変電子素子   [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨):
出願 (必須): 2008-226923
出願年月日 (必須): 西暦 2008年 9月 4日 (平成 20年 9月 4日) [継承]
[継承]
開示 (必須): 2010-62358
開示年月日 (必須): 西暦 2010年 3月 18日 (平成 22年 3月 18日) [継承]
[継承]
番号 (必須): 5155072 [継承]
年月日 (必須): 西暦 2012年 12月 14日 (平成 24年 12月 14日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹, 影島 博之, 山口 浩司 : 抵抗可変電子素子, 特願2008-226923 (2008年9月), 特開2010-62358 (2010年3月), 特許第5155072号 (2012年12月).
欧文冊子 ● Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : 抵抗可変電子素子, 2008-226923 (Sep. 2008), 2010-62358 (March 2010), 5155072 (Dec. 2012).

関連情報

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