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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.川上 烈生 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2.稲岡 武
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学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) (日) 新部 正人 (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) (日) 向井 孝志 (読)
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題名 (必須): (英)   (日) 容量結合型KrプラズマによるGaNエッチングダメージ解析   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第70回秋季応用物理学会学術講演会論文集 (読)
ISSN (任意):
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(必須): [継承]
(必須): 1 [継承]
(必須): 188 188 [継承]
都市 (必須): (英) (日) 日本 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2009年 9月 8日 (平成 21年 9月 8日) [継承]
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和文冊子 ● 川上 烈生, 稲岡 武, 富永 喜久雄, 新部 正人, 向井 孝志 : 容量結合型KrプラズマによるGaNエッチングダメージ解析, 第70回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 188, 2009年9月.
欧文冊子 ● Retsuo Kawakami, Takeshi Inaoka, Kikuo Tominaga, 新部 正人 and 向井 孝志 : 容量結合型KrプラズマによるGaNエッチングダメージ解析, 第70回秋季応用物理学会学術講演会論文集, No.1, 188, Sep. 2009.

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