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登録内容 (EID=20668)

EID=20668EID:20668, Map:0, LastModified:2013年8月27日(火) 11:54:13, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Ao Takahir (日) 阿尾 高広 (読) あお たかひろ
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mori Ichirou (日) 森 一郎 (読) もり いちろう
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) AlN films were prepared in N2 and N2/Ar gas by the alternating DC sputtering method wherein two Al targets facing each other were sputtered alternately, and the mechanism of film damage in AlN film preparation was investigated. When the gas pressure was lower than 3 mTorr, the crystalline orientation of the film inclined slightly toward the direction of incidence of depositing atoms. In this system, the influence of plasma exposure on the film properties was decreased. This was due to the decrease of electron flow into the substrate. Degradation of the c-axis orientation was ascribed to both the tilt of the growth direction of the (00·2) plane at low gas pressures and film bombardment by positive ions with energies above 60 eV.  (日) 2つの対向させたアルミニウムターゲットが交互にスパッタされる交替式DCスパッタリング法によりN2およびN2/Arガス中でAlN膜を作成し,AlNの成膜における膜損傷のメカニズムを調べた.ガス圧が3mTorrより低い場合,膜の結晶方位は堆積原子の入射方向に沿ってわずかに傾く.このシステムで膜特性に対するプラズマ露光の影響は減少した.これは基板に入る電子流が減少したためである.c軸配向性の悪化は,(00·2)面の成長方向の傾きと60eV以上のエネルギを有する正イオンによる膜衝撃の両方に帰する.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 35 [継承]
(必須): 9B [継承]
(必須): 4972 4975 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 9月 1日 (平成 8年 9月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
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NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Takahir Ao, Ichirou Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.35, No.9B, 4972-4975, 1996.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Takahir Ao, Ichirou Mori, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.35, No.9B, 4972-4975, 1996.

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