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登録内容 (EID=20667)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Inoue Shozo (日) 井上 省三 (読) いのうえ しょうぞう
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Howson R.P. (日) (読)
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) TiN films prepared by unbalanced planar magnetron sputtering under controle of photoemission of Ti  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) TiN films have been prepared by unbalanced planar magnetron sputtering, where the flux of sputtered Ti atoms was maintained constant by adjusting N2 gas flow during sputtering. At a set point of 75% of the Ti signal in the pure Ar gas, the film resistivity has a minimum, the film stress becomes a minimum and the appearance is most gold-like. With an increase in ion bombardment, the internal stress increases, whereas the film resistivity decreases. These results confirm that stoichiometric TiN films are prepared at the set point of 75%, where the target surface is not fully covered by TiN. The energetic ions appear to improve the properties of the TiN films.  (日) TiN膜はアンバランスドプレーナマグネトロンスパッタリングによって準備された.ここで,スパッタリング中のN2ガス流量を調整することで,スパッタされたTi原子の量が一定に保たたれた.純アルゴンガス中でTi信号の75%のセットポイントで,得られる膜の抵抗が最小となり,膜応力が最小となり,外観が金のようになる.イオン衝撃の増加とともに膜抵抗が減少するにも関わらず,内部応力が増加する.これらの結果は,化学量論組成のTiN膜が75%のセットポイントで作製されることを示す.ここで,ターゲット表面はTiNで完全には覆われていない.エネルギを持ったイオンは,TiN膜の特性の向上に現れる.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Thin Solid Films ([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
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(必須): 281-282 [継承]
(必須):
(必須): 182 185 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 1月 1日 (平成 8年 1月 1日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-3VS9496-G4&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ADU-MsSAYVA-UUA-AUECWBVCDB-AUEWYACBDB-CDADAYUBA-ADU-U&_fmt=summary&_coverDate=08%2F01%2F1996&_rdoc=48&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231996%23997179998%2358449!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=a4be064374c4aaf5f3fabb676aa23c04 [継承]
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Scopus (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Shozo Inoue, R.P. Howson, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : TiN films prepared by unbalanced planar magnetron sputtering under controle of photoemission of Ti, Thin Solid Films, Vol.281-282, (号), 182-185, 1996.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Shozo Inoue, R.P. Howson, Kazuya Kusaka and Takao Hanabusa : TiN films prepared by unbalanced planar magnetron sputtering under controle of photoemission of Ti, Thin Solid Films, Vol.281-282, (号), 182-185, 1996.

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