『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=19834)

EID=19834EID:19834, Map:0, LastModified:2014年11月27日(木) 11:28:09, Operator:[森 篤史], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 総説·解説 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Inoue, Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Tanahashi Katuto (日) 棚橋 克人 (読) たなはし かつと
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.森 篤史
役割 (任意): (英)   (日) 議論   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Point Defect Behavior in Growing Silicon Crystals  (日) CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動   [継承]
副題 (任意): (英)   (日) 応力·不純物の効果, 表面と界面, 温度勾配   [継承]
要約 (任意): (英) Behavior of point defects in growing silicon crystal is discussed. Local equilibrium concentration is derived and compared to reported conventional ones. Stress effects on point defects are described such as concentration change around dislocation loops, effect of thermal stress and impurity doping effects. Temperature gradient and heat balance at the solid/liquid interface is discussed in detail because of their important role in determining point defect behavior.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): 日本結晶成長学会誌 ([日本結晶成長学会])
(pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)

ISSN (任意): 0385-6275
ISSN: 0385-6275 (pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)
Title: 日本結晶成長学会誌
Supplier: 日本結晶成長学会
 (Webcat Plus (No Scopus information.)
[継承]
[継承]
(必須): 26 [継承]
(必須): 5 [継承]
(必須): 242 249 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1999年 12月 1日 (平成 11年 12月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意): 110002769257 [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 井上 直久, 棚橋 克人, 森 篤史 : CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動, --- 応力·不純物の効果, 表面と界面, 温度勾配 ---, 日本結晶成長学会誌, Vol.26, No.5, 242-249, 1999年12月.
欧文冊子 ● Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Point Defect Behavior in Growing Silicon Crystals, Journal of the Japanese Association for Crystal Growth, Vol.26, No.5, 242-249, Dec. 1999.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 1.27, Max(EID) = 376483, Max(EOID) = 1008286.