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種別 (必須): 国際会議 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.川上 烈生 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2.富永 喜久雄
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3. (英) Kenji Okada (日) (読)
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4. (英) Takahiro Nouda (日) (読)
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5.稲岡 武
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6. (英) Atsushi Takeichi (日) (読)
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7. (英) Toshiaki Fukudome (日) (読)
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8. (英) Kenichi Murao (日) (読)
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題名 (必須): (英) Etch Damage Characteristics of TiO2 Thin Films by Capacitively Coupled RF Ar Plasmas  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of 10th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes (日) (読)
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(必須): 500 503 [継承]
都市 (必須): (英) Kanazawa (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2009年 7月 8日 (平成 21年 7月 8日) [継承]
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和文冊子 ● Retsuo Kawakami, Kikuo Tominaga, Okada Kenji, Nouda Takahiro, Takeshi Inaoka, Takeichi Atsushi, Fukudome Toshiaki and Murao Kenichi : Etch Damage Characteristics of TiO2 Thin Films by Capacitively Coupled RF Ar Plasmas, Proceedings of 10th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes, 500-503, Kanazawa, July 2009.
欧文冊子 ● Retsuo Kawakami, Kikuo Tominaga, Okada Kenji, Nouda Takahiro, Takeshi Inaoka, Takeichi Atsushi, Fukudome Toshiaki and Murao Kenichi : Etch Damage Characteristics of TiO2 Thin Films by Capacitively Coupled RF Ar Plasmas, Proceedings of 10th International Symposium of Sputtering & Plasma Processes, 500-503, Kanazawa, July 2009.

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