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登録内容 (EID=190820)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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著者 (必須): 1.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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2. (英) Mukai Takuya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Takahashi Tomoya (日) (読)
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4.森田 健
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5.井須 俊郎
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題名 (必須): (英) Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers were grownon GaAs (10 0) substrates by molecular beam epitaxy. Relaxation of lattice strain in the In0.35Ga0.65As nucleation layer was monitored by in situ reflection high-energy electron diffraction. Self-assembledInAs QDs were successfully formed on the strain-relaxed In0.35Ga0.35As barrier. Twenty-layer stackedInAs QDs showed optical absorption in the wavelength range of 1350-1650 nm. A fast decay of 18 ps wasobserved in the temporal profile of absorption saturation measurement at a wavelength of 1540 nm,which is expected to be useful for ultrafast nonlinear optical switching applications operating in the1:55 μm waveband.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 311 [継承]
(必須): 7 [継承]
(必須): 1807 1810 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2009年 4月 末日 (平成 21年 4月 末日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2008.10.049    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000265659300044 [継承]
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Takahiro Kitada, Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.7, 1807-1810, 2009.
欧文冊子 ● Takahiro Kitada, Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.7, 1807-1810, 2009.

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