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EID=188872EID:188872, Map:0, LastModified:2009年12月14日(月) 14:59:37, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[直井 美貴], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 加藤 篤 (読)
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2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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3.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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4.酒井 士郎
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題名 (必須): (英)   (日) SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会 (読)
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(必須): 11-1 11-1 [継承]
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年月日 (必須): 西暦 2008年 9月 27日 (平成 20年 9月 27日) [継承]
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和文冊子 ● 加藤 篤, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-1, 2008年9月.
欧文冊子 ● 加藤 篤, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : SiO2 を斜め蒸着した凹凸GaN テンプレート上へのGaN成長, 平成20年度電気関係学会四国支部連合大会, 11-1, Sep. 2008.

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