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登録内容 (EID=188869)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Matsuoka Ryo (日) (読)
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2. (英) Okimoto Takashi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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5.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (日) (読)
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(必須): MO-44 MO-44 [継承]
都市 (必須): (英) Izu (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2008年 7月 7日 (平成 20年 7月 7日) [継承]
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和文冊子 ● Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, MO-44, Izu, July 2008.
欧文冊子 ● Ryo Matsuoka, Takashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : AlGaN epitaxial lateral overgrowth on Ti-evaporated GaN/sapphire substrate, Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, MO-44, Izu, July 2008.

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