『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=188511)

EID=188511EID:188511, Map:0, LastModified:2009年3月23日(月) 17:29:16, Operator:[四辻 真紀], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○学科・専攻 (必須): 1.徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜) [継承]
○学位 (必須): □修士
○学位名称 (必須):
[継承]
○言語 (推奨): □日本語 [継承]
○氏名 (必須):
○題名 (必須): □(英)   (日) GaN MOSFETに関する研究   [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○年月日 (必須): □西暦 2009年 3月 23日 (平成 21年 3月 23日) [継承]
○指導教員 (必須): 1.敖 金平 [継承]
2.大野 泰夫 [継承]
○指導協力教員 (任意):
○審査教員 (必須): 1.大野 泰夫 [継承]
2.富永 喜久雄 [継承]
3.敖 金平 [継承]
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [修士] : (氏名) : GaN MOSFETに関する研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平].
欧文冊子 ● [修士] : (氏名) : GaN MOSFETに関する研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平].

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.35, Max(EID) = 404136, Max(EOID) = 1094655.