『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=186925)

EID=186925EID:186925, Map:0, LastModified:2009年12月14日(月) 15:01:02, Operator:[山田 美緒], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[川上 烈生], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.川上 烈生 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2. (英) Takeshi Inaoka (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Takashi Mukai (日) (読)
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題名 (必須): (英) Effects of Capacitively Coupled Radio Frequency Krypton and Argon Plasmas on Gallium Nitride Etching Damage  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of International Symposium of Dry Process 2008 (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須): 187 188 [継承]
都市 (必須): (英) Tokyo (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2008年 11月 27日 (平成 20年 11月 27日) [継承]
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和文冊子 ● Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Kikuo Tominaga and Mukai Takashi : Effects of Capacitively Coupled Radio Frequency Krypton and Argon Plasmas on Gallium Nitride Etching Damage, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2008, 187-188, Tokyo, Nov. 2008.
欧文冊子 ● Retsuo Kawakami, Inaoka Takeshi, Kikuo Tominaga and Mukai Takashi : Effects of Capacitively Coupled Radio Frequency Krypton and Argon Plasmas on Gallium Nitride Etching Damage, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2008, 187-188, Tokyo, Nov. 2008.

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Number of session users = 0, LA = 0.74, Max(EID) = 360730, Max(EOID) = 966223.