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登録内容 (EID=185825)

EID=185825EID:185825, Map:[2006/無機光機能材料論], LastModified:2013年9月19日(木) 11:35:17, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 先端技術科学教育部 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2007年 (平成 19年) [継承]
名称 (必須): (英) Semiconductor Device Physics (日) 半導体デバイス物理特論 (読) はんどうたいでばいすぶつりとくろん
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形態 (推奨): 1.講義および演習 [継承]
コース (必須): 1.2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.大野 泰夫
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices.  (日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と,そのデバイスの電気特性との関連を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices.  (日) 半導体デバイス,特に各種電子デバイス,トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理,微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果,デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について,その物理的原理から解説する.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) Semiconductor (日) 半導体 (読) [継承]
2. (英) Device physics (日) デバイス物理 (読) [継承]
3. (英) Transistor (日) トランジスタ (読) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨): 1.光半導体デバイス特論 ([2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2006/光半導体デバイス特論])
関連度 (任意):
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2.無機光機能材料論 ([2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2008/無機光機能材料論])
関連度 (任意):
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要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) 1. Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics.  (日) 1. 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する.2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象,2次元電界分布効果を理解する.3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する.  
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計画 (必須): 1.(英) Characterization of crystals  (日) 結晶の特徴と記述法  
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2.(英) Symmetry elements of crystals and material constants 1  (日) 結晶の対象要素と物質定数 1  
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3.(英) Symmetry elements of crystals and material constants 2  (日) 結晶の対象要素と物質定数 2  
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4.(英) Optical properties of crystals 1  (日) 結晶の光学的性質 1  
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5.(英) Optical properties of crystals 2  (日) 結晶の光学的性質 2  
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6.(英) Electro-optical effects and nonlinear effects 1  (日) 電気光学効果と非線形光学効果 1  
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7.(英) Electro-optical effects and nonlinear effects 2  (日) 電気光学効果と非線形光学効果 2  
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8.(英) Piezoelectricity 1  (日) 圧電気現象 1  
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9.(英) Piezoelectricity 2  (日) 圧電気現象 2  
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10.(英) Acoustic waves in crystal 1  (日) 結晶中の音波1  
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11.(英) Acoustic waves in crystal 2  (日) 結晶中の音波2  
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12.(英) Interaction of phtons and phonons in crystal  (日) 結晶中の音と光  
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13.(英) Synthesis methods of thin films 1(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation)  (日) 薄膜の作製法1(特にPVD法:電子ビーム蒸着,MBE,スパッタリング,レーザアブレーション,イオン化蒸着)  
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14.(英) Synthesis methods of thin films 2(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation)  (日) 薄膜の作製法2(特にPVD法:電子ビーム蒸着,MBE,スパッタリング,レーザアブレーション,イオン化蒸着)  
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15.(英) Film properties (Charaterizations of electrical, optical and mechanical properties)  (日) 薄膜の諸性質(特徴,電気的光学的性質,機械的性質)  
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16.(英) Exercise  (日) テスト  
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評価 (必須): (英) Reports for each theme and examination  (日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する.   [継承]
再評価 (必須): (英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year.  (日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう. 評価点の最高は79点とする. 第1回試験において,40点未満の場合は再受講とする.   [継承]
対象学生 (任意): 開講コース学生のみ履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英) Tomoya Ogawa:Fundamentals in Crystal Engineering, Shoukabou (in Japanese) and Shunichi Gonda, Applied Handbook of Thin Film Depositions, (NTS )(in Japanese)  (日) 小川智哉著,結晶工学の基礎,裳華房;権田俊一監修,薄膜作製応用ハンドブック,エヌ·ティー·エス   [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.大野 泰夫
オフィスアワー (任意):
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2.富永 喜久雄
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英) This lecture will be given in English.  (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある.   [継承]

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標準的な表示

和文冊子 ● 半導体デバイス物理特論 / Semiconductor Device Physics
欧文冊子 ● Semiconductor Device Physics / 半導体デバイス物理特論

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