| ○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2007年 (平成 19年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Semiconductor Device Physics (日) 半導体デバイス物理特論 (読) はんどうたいでばいすぶつりとくろん
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| ○形態 (推奨): | 1. | 講義および演習
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| ○コース (必須): | 1. | 2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 大野 泰夫
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| ○単位 (必須): | □ | 2
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| ○目的 (必須): | □ | (英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices. (日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と，そのデバイスの電気特性との関連を理解する．
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| ○概要 (必須): | □ | (英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices. (日) 半導体デバイス，特に各種電子デバイス，トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理，微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果，デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について，その物理的原理から解説する．
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| ○キーワード (推奨): | 1. | (英) Semiconductor (日) 半導体 (読)
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| 2. | (英) Device physics (日) デバイス物理 (読)
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| 3. | (英) Transistor (日) トランジスタ (読)
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| ○先行科目 (推奨): |
| ○関連科目 (推奨): | 1. | 光半導体デバイス特論 ([2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2006/光半導体デバイス特論])
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| 2. | 無機光機能材料論 ([2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2008/無機光機能材料論])
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| ○要件 (任意): |
| ○注意 (任意): |
| ○目標 (必須): | 1. | (英) 1. Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics. (日) 1. 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する．2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象，2次元電界分布効果を理解する．3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する．
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) Characterization of crystals (日) 結晶の特徴と記述法
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| 2. | (英) Symmetry elements of crystals and material constants 1 (日) 結晶の対象要素と物質定数 1
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| 3. | (英) Symmetry elements of crystals and material constants 2 (日) 結晶の対象要素と物質定数 2
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| 4. | (英) Optical properties of crystals 1 (日) 結晶の光学的性質 1
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| 5. | (英) Optical properties of crystals 2 (日) 結晶の光学的性質 2
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| 6. | (英) Electro-optical effects and nonlinear effects 1 (日) 電気光学効果と非線形光学効果 1
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| 7. | (英) Electro-optical effects and nonlinear effects 2 (日) 電気光学効果と非線形光学効果 2
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| 8. | (英) Piezoelectricity 1 (日) 圧電気現象 1
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| 9. | (英) Piezoelectricity 2 (日) 圧電気現象 2
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| 10. | (英) Acoustic waves in crystal 1 (日) 結晶中の音波1
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| 11. | (英) Acoustic waves in crystal 2 (日) 結晶中の音波2
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| 12. | (英) Interaction of phtons and phonons in crystal (日) 結晶中の音と光
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| 13. | (英) Synthesis methods of thin films 1(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation) (日) 薄膜の作製法1(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着)
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| 14. | (英) Synthesis methods of thin films 2(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation) (日) 薄膜の作製法2(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着)
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| 15. | (英) Film properties (Charaterizations of electrical, optical and mechanical properties) (日) 薄膜の諸性質(特徴，電気的光学的性質，機械的性質)
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| 16. | (英) Exercise (日) テスト
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| ○評価 (必須): | □ | (英) Reports for each theme and examination (日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する．
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| ○再評価 (必須): | □ | (英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year. (日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう． 評価点の最高は79点とする． 第1回試験において，40点未満の場合は再受講とする．
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| ○対象学生 (任意): | □ | 開講コース学生のみ履修可能
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| ○教科書 (必須): | 1. | (英) Tomoya Ogawa:Fundamentals in Crystal Engineering, Shoukabou (in Japanese) and Shunichi Gonda, Applied Handbook of Thin Film Depositions, (NTS )(in Japanese) (日) 小川智哉著，結晶工学の基礎，裳華房;権田俊一監修，薄膜作製応用ハンドブック，エヌ·ティー·エス
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| ○参考資料 (推奨): |
| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 大野 泰夫
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| 2. | 富永 喜久雄
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): | 1. | (英) This lecture will be given in English. (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．
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【授業概要】(2006/無機光機能材料論)