『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=18436)

EID=18436EID:18436, Map:0, LastModified:2012年11月1日(木) 16:58:02, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
学科・専攻 (必須): 1.光応用工学専攻 (〜2011年3月31日) [継承]
学位 (必須): 修士
学位名称 (必須): 修士(工学)/[修士]
学位正式名称 (必須):
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言語 (推奨):
氏名 (必須):
題名 (必須): (英) Preparation of the phase diagram in InGaN mixed crystals by Monte Carlo simulation  (日) モンテカルロシミュレーションによるInGaN混晶の状態図の作成   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
年月日 (必須): 西暦 2001年 3月 1日 (平成 13年 3月 1日) [継承]
指導教員 (必須): 1.井上 哲夫 [継承]
指導協力教員 (任意):
審査教員 (必須): 1.井上 哲夫 [継承]
2.福井 萬壽夫 [継承]
3.田中 均 [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [修士] : (氏名) : モンテカルロシミュレーションによるInGaN混晶の状態図の作成, 2001年3月, 井上 哲夫 [井上 哲夫, 福井 萬壽夫, 田中 均].
欧文冊子 ● [修士] : (氏名) : Preparation of the phase diagram in InGaN mixed crystals by Monte Carlo simulation, 2001年3月, 井上 哲夫 [井上 哲夫, 福井 萬壽夫, 田中 均].

関連情報

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