『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=18355)

EID=18355EID:18355, Map:0, LastModified:2013年8月23日(金) 15:19:47, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
研究者 (必須): 富永 喜久雄 [継承]
分野 (必須): 1.電気電子材料工学 (Electrical and Electronic Material Engineering/[電気電子工学]/[材料工学]) [継承]
2. (英) (日) 薄膜工学 (読) [継承]
3. (英) (日) 電子物性 (読) [継承]
4. (英) (日) スパッタリング (読) [継承]
テーマ (必須): 1.(英) Study of transparent sputtered oxide films with low resistivity  (日) 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究   [継承]
2.(英) Deposition and evaluation of sputtered films such as gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride  (日) 反応性スパッタリング法による窒化ガリウム,窒化インジウム,窒化アルミニウム薄膜の作製とその物性評価   [継承]
3.(英) Deposition and evaluation of magnetic nitride films  (日) 窒化物磁性体薄膜の作製とその物性   [継承]
4.(英)   (日) 酸化亜鉛や窒化アルミニウムの圧電性薄膜の作製とその膜評価   [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨): 1. (英) GaN (日) (読) [継承]
2. (英) InN (日) (読) [継承]
3. (英) ZnO (日) (読) [継承]
4. (英) AlN (日) (読) [継承]
5. (英) ITO (日) (読) [継承]
共同研究 (推奨): 1.(英)   (日) 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究,スパッタ時の高速酸素原子による膜衝撃の実測とその影響   [継承]
優先度 (任意):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 富永 喜久雄 : 電気電子材料工学, 薄膜工学, 電子物性, スパッタリング, 透明導電性酸化物スパッタ膜の低抵抗化に関する研究, 反応性スパッタリング法による窒化ガリウム,窒化インジウム,窒化アルミニウム薄膜の作製とその物性評価, 窒化物磁性体薄膜の作製とその物性, 酸化亜鉛や窒化アルミニウムの圧電性薄膜の作製とその膜評価, (GaN, InN, ZnO, AlN, ITO).
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga : Electrical and Electronic Material Engineering, 薄膜工学, 電子物性, スパッタリング, Study of transparent sputtered oxide films with low resistivity, Deposition and evaluation of sputtered films such as gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, Deposition and evaluation of magnetic nitride films, 酸化亜鉛や窒化アルミニウムの圧電性薄膜の作製とその膜評価, (GaN, InN, ZnO, AlN, ITO).

関連情報

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