『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=18018)

EID=18018EID:18018, Map:0, LastModified:2005年7月19日(火) 13:53:33, Operator:[近江 千代子], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Ushiro Tomoko (日) 宇城 恭子 (読) うしろ ともこ
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tsuji Daisuke (日) 辻 大輔 (読) つじ だいすけ
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Murayama Kazutaka (日) 村山 和孝 (読) むらやま かずたか
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学籍番号 (推奨):
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4.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.中林 一朗
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Structural Variation of Thin Films Deposited from Zn3In2O6 Target by rf-Sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) Zn3In3O5セラミックターゲットをAr中でスパッタしたとき得られた膜の組成,結晶構造,電気的,光学的特性を基板温度をパラメータにして調べた.基板温度の上昇にたいして,Zn3In2O6, Zn2In2O5, In2O3の順に現れた.これらの膜のICP(Inductivelu Coupled Plasma)分析による組成比の結果は上の構造変化と対応している.Zn3In2O6 からZn2In2O5へ移行する途上の膜の抵抗率の低下があり,In2O3が現れると」急激に抵抗率が上昇した.In2O3以外の光学的バンドギャップはほぼ等しく,In2O3のそれよりも小さい.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the fifth International Symposium on Sputtering and Plasma Process (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 213 214 [継承]
都市 (必須): 金沢 (Kanazawa/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 6月 17日 (平成 11年 6月 17日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Tomoko Ushiro, Daisuke Tsuji, Kazutaka Murayama, Toshihiro Moriga, Kikuo Tominaga and Ichiro Nakabayashi : Structural Variation of Thin Films Deposited from Zn3In2O6 Target by rf-Sputtering, Proceedings of the fifth International Symposium on Sputtering and Plasma Process, (巻), (号), 213-214, Kanazawa, June 1999.
欧文冊子 ● Tomoko Ushiro, Daisuke Tsuji, Kazutaka Murayama, Toshihiro Moriga, Kikuo Tominaga and Ichiro Nakabayashi : Structural Variation of Thin Films Deposited from Zn3In2O6 Target by rf-Sputtering, Proceedings of the fifth International Symposium on Sputtering and Plasma Process, (巻), (号), 213-214, Kanazawa, June 1999.

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