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登録内容 (EID=17968)

EID=17968EID:17968, Map:0, LastModified:2014年4月30日(水) 10:37:50, Operator:[松井 栄里], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Mori Ichiro (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Relation between the flux of energetic oxygen ions and the sputtered metal atoms in oxide film deposition by reactive sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) ZnターゲットをAr+O2中で反応性スパッタをするときに発生する高速酸素イオンとスパッタされたZn原子の関係を調べた.高速酸素負イオンとターゲット表面の酸化の度合いは酸素分圧の増加とともに増す.高速酸素負イオンとスパッタされたZnとは密接に関係がある.実験データは高速酸素がZn ターゲットの酸化領域から生成するという単純なモデルから理論的に導かれる式でうまくフィティングできる.反応性スパッタリングにおける高速酸素生成機構の基礎的な理論を構築した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(resolved by 0042-207X)
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1879-2715)
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
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(必須): 59 [継承]
(必須): 2 [継承]
(必須): 574 580 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 1月 1日 (平成 12年 1月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0042-207X(00)00318-3    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000165157100028 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-0346056164 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga and Ichiro Mori : Relation between the flux of energetic oxygen ions and the sputtered metal atoms in oxide film deposition by reactive sputtering, Vacuum, Vol.59, No.2, 574-580, 2000.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga and Ichiro Mori : Relation between the flux of energetic oxygen ions and the sputtered metal atoms in oxide film deposition by reactive sputtering, Vacuum, Vol.59, No.2, 574-580, 2000.

関連情報

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