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登録内容 (EID=177869)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.応用物理学会 [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 菊田 大悟 (読)
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学籍番号 (推奨):
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2.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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3.大野 泰夫
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨): 1. (英) (日) AlGaN/GaN (読) [継承]
2. (英) (日) MOS-HFET (読) [継承]
3. (英) (日) 相互コンダクタンス周波数分散 (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) 第64回応用物理学会学術講演会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2003年 9月 1日 (平成 15年 9月 1日) [継承]
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和文冊子 ● 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散, 第64回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2003年9月.
欧文冊子 ● 菊田 大悟, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散, 第64回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), Sep. 2003.

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