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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座) (〜2018年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Watanabe Issei (日) (読)
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2. (英) Shinohara Keisuke (日) (読)
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3.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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4. (英) Shimomura Satoshi (日) (読)
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5. (英) Endoh Akira (日) (読)
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6. (英) Yamashita Yoshimi (日) (読)
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7. (英) Mimura Takashi (日) (読)
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8. (英) Hiyamizu Satoshi (日) (読)
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9. (英) Matsui Toshiaki (日) (読)
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題名 (必須): (英) Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) We investigated the contact resistance of a non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode to obtain thermally stable sourcedrain resistance of cryogenically cooled In0:75Ga0:25As=In0:52Al0:48As high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on (4 1 1)A-oriented InPsubstrates by molecular beam epitaxy. A contact resistance of 0:26 Ω mm, which strongly depended on InAlAs spacer and barrier layers,was achieved at 16 K (25% below the value at 300 K) for the non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode formed on the In0:75Ga0:25As/In0:52Al0:48As HEMT structure with 3-nm-thick InAlAs spacer and 10-nm-thick InAlAs barrier layers. For a 195-nm-gate HEMT, we achieved a maximum transconductance (gm) of 2.25S/mm at 16 K (26% above the value at 300 K), which, to ourknowledge, is one of the highest values for HEMTs ever reported. This extremely high gm was attributed to not only 33% lower source-drain resistance (0:18 Ω mm at 16 K) because of thermally stable and low contact resistance but also 19% lower transit time underthe gate (0.39 ps at 16 K) because of phonon scattering suppression compared with the 300 K values.  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 301-302 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 1025 1029 [継承]
都市 (任意): 東京 (Tokyo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2007年 9月 初日 (平成 19年 9月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.056    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-33947308274 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui : Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 1025-1029, 2007.
欧文冊子 ● Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu and Toshiaki Matsui : Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE, Journal of Crystal Growth, Vol.301-302, 1025-1029, 2007.

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