『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=17689)

EID=17689EID:17689, Map:0, LastModified:2005年9月14日(水) 15:40:34, Operator:[近江 千代子], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森賀 俊広], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須):
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Tsuji Daisuke (日) 辻 大輔 (読) つじ だいすけ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Ushiro Tomoko (日) 宇城 恭子 (読) うしろ ともこ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.中林 一朗
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Murayama Kazutaka (日) 村山 和孝 (読) むらやま かずたか
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
6.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Transparent Conductive Oxide Films Deposited by RF-Sputtering of Zn3In2O6 Target  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) The 2nd International Conference on Advanced Materials Development and Performance (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須): 2 [継承]
(必須):
(必須): 674 677 [継承]
都市 (必須): 徳島 (Tokushima/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 24日 (平成 11年 11月 24日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Toshihiro Moriga, Daisuke Tsuji, Tomoko Ushiro, Ichiro Nakabayashi, Kazutaka Murayama and Kikuo Tominaga : Transparent Conductive Oxide Films Deposited by RF-Sputtering of Zn3In2O6 Target, The 2nd International Conference on Advanced Materials Development and Performance, Vol.2, (号), 674-677, Tokushima, Nov. 1999.
欧文冊子 ● Toshihiro Moriga, Daisuke Tsuji, Tomoko Ushiro, Ichiro Nakabayashi, Kazutaka Murayama and Kikuo Tominaga : Transparent Conductive Oxide Films Deposited by RF-Sputtering of Zn3In2O6 Target, The 2nd International Conference on Advanced Materials Development and Performance, Vol.2, (号), 674-677, Tokushima, Nov. 1999.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 0.34, Max(EID) = 360929, Max(EOID) = 966657.