『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=174177)

EID=174177EID:174177, Map:0, LastModified:2008年6月14日(土) 23:31:04, Operator:[敖 金平], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
学科・専攻 (必須): 1.徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜) [継承]
学位 (必須): 修士
学位名称 (必須):
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言語 (推奨): 日本語 [継承]
氏名 (必須):
題名 (必須): (英)   (日) AlGaN/GaN HFET オーミック電極の低接触抵抗化の研究   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨): 1. (英) (日) AlGaN/GaN HFET (読) [継承]
2. (英) (日) オーミック電極 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2008年 3月 24日 (平成 20年 3月 24日) [継承]
指導教員 (必須): 1.大野 泰夫 [継承]
2.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
指導協力教員 (任意):
審査教員 (必須): 1.大野 泰夫 [継承]
2.富永 喜久雄 [継承]
3.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET オーミック電極の低接触抵抗化の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平].
欧文冊子 ● [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET オーミック電極の低接触抵抗化の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平].

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.99, Max(EID) = 366567, Max(EOID) = 981878.