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登録内容 (EID=173979)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.応用物理学会 [継承]
著者 (必須): 1. (英) (日) 胡 成余 (読)
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2.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) 河合 弘治 (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.大野 泰夫
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨): 1. (英) (日) p-基板層 (読) [継承]
2. (英) (日) AlGaN/GaN HFET (読) [継承]
3. (英) (日) Vt-Vsub特性 (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) 第55回応用物理学関係連合講演会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): 千葉 (Chiba/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2008年 3月 30日 (平成 20年 3月 30日) [継承]
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和文冊子 ● 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月.
欧文冊子 ● 胡 成余, Jin-Ping Ao, 河合 弘治 and Yasuo Ohno : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, March 2008.

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