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登録内容 (EID=173975)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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組織 (推奨): 1.応用物理学会 [継承]
著者 (必須): 1.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2. (英) (日) 澤田 剛一 (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) 新海 聡子 (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) (日) 岡田 政也 (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) (日) 胡 成余 (読)
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6. (英) (日) 廣瀬 和之 (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) (日) 河合 弘治 (読)
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8.大野 泰夫
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題名 (必須): (英)   (日) TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価   [継承]
副題 (任意):
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キーワード (推奨): 1. (英) (日) TiNゲート (読) [継承]
2. (英) (日) AlGaN/GaN HFET (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) 第68回応用物理学会学術講演会 (読)
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都市 (必須): 札幌 (Sapporo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2007年 9月 4日 (平成 19年 9月 4日) [継承]
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和文冊子 ● 敖 金平, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月.
欧文冊子 ● Jin-Ping Ao, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治 and Yasuo Ohno : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2007.

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